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CVD·SiC-C 梯度涂层中的残余应力及应力缓和
被引:4
作者
:
刘桂新
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
中国建筑材料科学研究院
刘桂新
金宗哲
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机构:
中国建筑材料科学研究院
金宗哲
王廷籍
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机构:
中国建筑材料科学研究院
王廷籍
机构
:
[1]
中国建筑材料科学研究院
[2]
中国建筑材料科学研究院高技术陶瓷研究所
来源
:
材料科学进展
|
1991年
/ 06期
关键词
:
热化学气相沉积;
梯度涂层;
残余应力;
表面优化;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文采用热 CVD 方法,在 ZrB2-SiC 复合陶瓷基体上制备 CVD·SiC-C 梯度涂层。采用XRD,SEM,及 X 射线应力分析方法,研究了 CVD·SiC-C 梯度涂层的相组成、显微结构、残余应力及弯曲强度等性能。结果表明,CVD·SiC-C 梯度涂层可以缓解 SiC 与 ZrB2基体间的热应力及界面应力,涂层中的残余应力得到明显缓解;高温退火处理对 CVD·SiC-C 涂层中的残余应力亦有缓解作用;梯度涂层显著改善了基材的弯曲强度。
引用
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页数:4
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薄膜物理[M]. 上海科学技术出版社 , 曲喜新 编著, 1986
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