集成式HgCdTe红外双色探测器列阵

被引：9

作者：

叶振华

吴俊

胡晓宁

巫艳

王建新

丁瑞军

何力

机构：

[1] 中国科学院上海技术物理研究所

来源：

红外与毫米波学报 | 2004年 / 03期

关键词：

HgCdTe; 双色探测器列阵; 光谱响应; 峰值探测率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN215 [红外探测、红外探测器];

学科分类号：

摘要：

首次报道了集成中波 1/中波 2 (MW1/MW2 )的HgCdTe红外双色探测器的材料生长、器件制备及其性能 .采用分子束外延 (MBE)技术 ,生长了p p P N型Hg1-xCdxTe多层异质结材料 .通过B+ 注入、台面腐蚀、爬坡金属化、台面侧向钝化及互连等工艺 ,得到了 80元的原理型HgCdTe红外双色探测器 .纵向上背靠背的 2个光电二极管分别有电极输出 ,确保了空间上同步和时间上同时的探测 ,并能独立地选择最佳工作偏压 .它适于常规的背照射工作方式 ,且有大的空间填充因子 .在液氮温度下 ,2个波段的光电二极管截止波长λc 分别为 3.0 4 μm和 5 .74 μm ,对应的R0 A值为 3.85× 10 5Ωcm2 和 3.0 2× 10 2 Ωcm2 .测得MW1、MW2的峰值探测率Dλp 分别为 1.5 7× 10 11cmHz1/2 /W和 5 .6 3×10 10 cmHz1/2 /W .得到 2个波段的光谱响应 ,且MW2光电二极管的光谱串音为 0 .4 6 % ,MW1光电二极管的光谱串音为 6 .34% .

引用

页码：193 / 196

页数：4

共 6 条

[1]

HighperformanceHgCdTetwo colorinfrareddetectorsgrownbymolecularbeamepitaxy. RajavelRD,JambaDM,WaOK ,etal. J .CrystalGrowth . 1997

[2]

SimultaneousMW/LWdual-bandMOVPEHgCdTe64×64FPAS. ReineMB,HairstonA,DettePO ,etal. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1998

[3]

Molecularbeamepitaxi algrowthandperformanceofHgCdTd basedsimultaneous modetwo colordetectors. RajavelRD,JambaDM,JensenJE. ElectronicMaterials . 1998

[4]

Dual bandinfrareddetectors. AntoniRogalski. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 2000

[5]

Statusofinfrareddetectors. NortonPaulR. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1998

[6]

Independentlyaccessedback to backHgCdTephotodiodes:anewdual-bandinfrareddetector. ReineMB,NortonPW,StarrR. J .ElectronicMaterials . 1995

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