多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构

被引:5
作者
贺洪波
范正修
姚振钰
机构
[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心!上海
[2] 不详
[3] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京
关键词
直流磁控溅射; ZnO薄膜; 结构;
D O I
暂无
中图分类号
TN304 [材料];
学科分类号
摘要
在玻璃基底和四种硅基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜.用AES和XRD对薄膜结构和组分进行测试,结果表明,五种基底上生长的ZnO薄膜在不同程度上都具有优良的纵向均匀性、明显的c轴择优取向和较高的结晶度,而硅基底上薄膜的结构普遍优于玻璃基底上沉积的薄膜。
引用
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共 1 条
[1]   Fluorine doping in transparent conductive ZnO thin films by a sol-gel method using trifluoroacetic acid [J].
Fujihara, S ;
Kusakado, J ;
Kimura, T .
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1998, 17 (09) :781-783