4500V碳化硅肖特基二极管研究

被引：15

作者：

黄润华

李理

陶永洪

刘奥

陈刚

李赟

柏松

栗锐

杨立杰

陈堂胜

机构：

[1] 南京电子器件研究所、微波毫米波单片和模块电路重点实验室

来源：

关键词：

4H型碳化硅; 结势垒肖特基二极管; 终端保护; 保护环;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN311.7 [];

学科分类号：

摘要：

设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。正向电压4V下导通电流密度为80A/cm2。

引用

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