新型SOI基3×3多模干涉波导光开关的优化设计

被引：10

作者：

贾晓玲

高凡

张峰

机构：

[1] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海,上海,上海

来源：

光学学报 | 2005年 / 09期

关键词：

集成光学; 多模干涉耦合器; 光开关; SOI; 全光网络;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN252 [光波导];

学科分类号：

0702 ; 070207 ;

摘要：

提出了一种基于SOI材料的新型3×3多模干涉(MMI)波导光开关,在开关的多模波导中引入折射率调制区,利用硅的等离子色散效应改变多模波导局部区域的折射率,使得光场在传输过程中的相位发生变化,进而确定输出光场位置,实现开关功能。采用有限差分光束传播法(FD-BPM)方法对开关的各个状态进行了模拟和分析,并对器件的结构参量进行了优化设计,采用优化后的结构参量,开关可实现的最大消光比达到-17.27 dB。

引用

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