大气与真空下功率VDMOS散热特性研究

被引：3

作者：

丁凯凯

冯士维

郭春生

刘静

机构：

[1] 北京工业大学电子信息与控制工程学院

来源：

半导体技术 | 2011年 / 36卷 / 07期

关键词：

热分析; 功率VDMOS; 真空; 可靠性; 热设计;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型。真空环境下功率为10 W、散热片面积为278.42 cm2时,VDMOS壳温较大气下升高了89.8℃。找出了VDMOS大气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系,并进行了相应实验,利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值,大气下不超过2℃、真空下不超过3℃,皆未超过5%,该公式可以作为功率VDMOS应用及热设计的参考依据。分析了真空环境下,功率VDMOS壳温显著升高的原因,并提出了改善措施。

引用

页码：510 / 515

页数：6

共 5 条

[1]

真空环境对电子元器件散热影响的试验研究.[A].程国辉;.2008年电子机械与微波结构工艺学术会议.2008,

[2]

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[3]

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[4] Cooling performance of a microchannel heat sink with nanofluids containing cylindrical nanoparticles (carbon nanotubes) [J].

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Sabbaghzadeh, Jamshid ;

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[5]

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