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多孔硅发光膜的研究
被引：10
作者：
陈立登
季振国
马向阳
姚鸿年
阙端麟
不详
机构：
[1] 浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室
[2] 浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室 杭州
[3] 杭州
来源：
关键词：
多孔硅;
光致发光;
量子线阵;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正> Canham在1990年报道了多孔硅光致发光,并提出发光多孔硅具有尺度为几个纳米的量子线阵结构。其后不久,Richter等制作了第一个多孔硅光发射器件。目前,有关多孔硅发光的机理研究,提出了几种设想。多数研究者倾向于多孔硅的量子线阵结构使带隙增宽,导致可见荧光。但是,到目前为止,发光多孔硅的量子线阵结构尚无直接的实验证据。另外一些观点有:多孔硅中的硅氢烷发光;附着在硅表面的某种分子发光,以及多孔硅表面性质
引用
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页码：1944 / 1948
页数：5
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