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化学气相沉积法制备SiC纳米粉
被引：53
作者：
梁博
黄政仁
江东亮
谭寿洪
陆忠乾
机构：
[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所
来源：
关键词：
化学气相沉积，碳化硅，纳米粉体;
D O I：
暂无
中图分类号：
TQ127.12 [];
学科分类号：
摘要：
本工作采用二甲基二氯硅烷和氢气为原料，在１１００～１４００℃温度条件下，通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米ＳｉＣ粉体·实验结果指出，在１１００～１３００℃；制备得到的粉体颗粒由无定型相和β－ＳｉＣ微晶组成；而在１４００℃则粉体颗粒主要由β－ＳｉＣ微晶无序取向组成．随反应条件的改变，粉体平均粒径和β－ＳｉＣ微晶的平均尺寸分别在４０～７０ｎｍ和１．８～７．３ｎｍ范围内变化．同时，产物粉体的Ｃ／Ｓｉ摩尔比由低温１１００℃的０．５提高到１４００℃的１．０５．通过控制沉积条件如反应温度和反应物浓度，可以得到Ｃ／Ｓｉ摩尔比保持在０．９５～１．０５范围的、符合化学计量比的ＳｉＣ粉体．最后，用各种手段如化学分析，Ｘ射线衍射、透射电镜、高分辩电镜和红外吸收光谱等，对粉体性能和结构进行了表征．
引用
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页数：7
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