毫米波器件与电路技术

被引:3
作者
孙再吉
机构
[1] 电子第研究所江苏南京
关键词
毫米波; 异质结场效应管; 异质结双极晶体管;
D O I
10.13250/j.cnki.wndz.2002.09.003
中图分类号
TN386 [场效应器件];
学科分类号
摘要
阐述了近来毫米波器件及电路的技术动向。异质结FET和HBT在InP系突现出优越的性能,在GaAs系已完全进入系统应用阶段。在此应用观点的影响下,相继开发成功了宽带无线通信系统和车载雷达用的CPWMMIC芯片以及倒装片封装模块。
引用
收藏
页码:9 / 13
页数:5
相关论文
共 5 条
[1]  
Alowphasenoise38GHzHBToscillatorutilizinganoveltransmissionlineresonator. HOSOYAK,TANAKAS,AMAMIYAY,etal. IEEEMTT-SDigest . 2000
[2]  
HighfmaxAlGaAs/InGaAsandAlGaAs/GaAsHBTswithp+/pre-grownbasecontacts. SHIMAWAKIH,AMAMIYAY,FURUHATAN,etal. IEEETrans.ElectronDevice . 1995
[3]  
Ultrashort25nmgatelatticematchedInAlAs/InGaAsHEMTwithintherangeof400GHzcutofffrequency. YAMASHITAY,ENDOHA,SHINOHARAK,etal. IEEEElectronDeviceLett . 2001
[4]  
Submicrontransferredsubstratehaterojunctionbipolartransistorswithgreaterthan800GHz. LEEQ,MARTINC,MENSAD,etal. IndiumPhosphideandRelatedMaterialsDi-gest . 1999
[5]  
Asingle-chiptransceivermodulefor76GHzautomotiveradarsensors. SHIMURAT,OHASHIY. 31thEuropeanMi-crowaveConference . 2001