高纯CdS单晶生长及光学性质

被引:2
作者
李维志
杨宝均
机构
[1] 中国科学院长春物理研究所
关键词
单晶生长; CdS; 自由激子; 晶体; 成核; 吸收光谱; 激子发射; 光学性质; 物理性能; 光学声子; 光致发光; 半导体材料; 电工材料; 生长温度;
D O I
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摘要
本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度.
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页码:277 / 284
页数:8
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