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高纯CdS单晶生长及光学性质
被引:2
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
李维志
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
杨宝均
机构
:
[1]
中国科学院长春物理研究所
来源
:
发光学报
|
1991年
/ 04期
关键词
:
单晶生长;
CdS;
自由激子;
晶体;
成核;
吸收光谱;
激子发射;
光学性质;
物理性能;
光学声子;
光致发光;
半导体材料;
电工材料;
生长温度;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度.
引用
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页码:277 / 284
页数:8
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