S波段10W SiC MESFET的研制

被引：13

作者：

潘宏菽

李亮

陈昊

齐国虎

霍玉柱

杨霏

冯震

蔡树军

机构：

[1] 河北半导体研究所

来源：

半导体技术 | 2007年 / 11期

关键词：

碳化硅; 微波; 功率器件; 金属-半导体场效应晶体管;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2007.11.006

中图分类号：

TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的MESFET功率样管,该器件的特征频率达6.7 GHz,最高振荡频率达25 GHz。对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果。

引用

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