Ag、Ta元素对MoS2抗氧化性影响的研究

被引：3

作者：

刘仲阳

王培录

廖小东

郑思孝

孙官清

机构：

[1] 四川大学原子核科学技术研究所

来源：

机械工程材料 | 2001年 / 09期

基金：

核工业科学基金;

关键词：

离子束辅助沉积; MoS2Ag复合膜; MoS2Ta复合膜; 氧化;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

用离子束辅助沉积方法 (IBAD)制备MoS2 Ag和MoS2 Ta复合膜以及MoS2 膜。用XPS分别检测在相对湿度 10 0 %室温环境下存放 4 5天和室温去离子水浸泡 15 8h以及在 4 30℃加热 1h后的三种膜中Mo、S元素的电子结构。数据表明 :掺有Ag、Ta元素的MoS2 复合膜抗氧化特性远优于同种工艺条件下制备的纯MoS2 膜。

引用

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共 3 条

[1] 离子束辅助沉积MoS2-Ag复合膜氧化行为的研究 [J].