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非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池
被引：13
作者：
郝会颖
孔光临
曾湘波
许颖
刁宏伟
廖显伯
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室
[2] 凝聚态物理中心
[3] 凝聚态物理中心 北京
[4] 中国地质大学(北京)材料科学与工程学院
[5] 北京
来源：
关键词：
相变域硅薄膜;
光电特性;
太阳能电池;
D O I：
暂无
中图分类号：
O471 [半导体理论];
TM914.4 [太阳能电池];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
0809 ;
080903 ;
080502 ;
摘要：
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHFPECVD）法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料作为本征层制备了pi_n太阳能电池,并测量了其稳定性.结果在AM1.5（100mW cm2）的光强下曝光800—5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了2.9%.
引用
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页码：3327 / 3331
页数：5
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