离子束增强沉积TiN薄膜界面结合强度的研究

被引：16

作者：

顾剑锋

周平南

杨晓豫

机构：

[1] 上海交通大学

来源：

关键词：

薄膜,离子束增强沉积,界面结合强度;

D O I：

10.13289/j.issn.1009-6264.1997.02.006

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

摘要：

采用划痕法测定了离子束增强沉积ＴｉＮ薄膜的界面结合力。结果表明，由于在离子束增强沉积过程中ＴｉＮ薄膜和基体之间生成一层厚约３０～４０ｎｍ的过渡层，从而大大改善了涂层的界面结合强度，其临界载荷可达１４０Ｎ，为一般ＰＶＤ和ＣＶＤ方法所生成的ＴｉＮ膜的３～４倍，并且发现它并不随膜厚的增加而变化。

引用

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