共 1 条
[1]
M.Bruel,Electron. Lett . 1995
O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析
被引：2
作者：
竺士炀
黄宜平
李爱珍
吴东平
王瑾
茹国平
包宗明
机构：
[1] 复旦大学电子工程系!上海
来源：
关键词：
表面缺陷;
硅片;
O76mm;
SOI;
低温键合;
空洞;
键合工艺;
封装工艺;
键合界面;
智能剥离;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN305.2 [表面处理];
学科分类号：
1401 ;
摘要：
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍ ａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍ ｍ 的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ ，比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括未转移区和气泡等，这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺，提高键合质量，可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料．
引用
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页码：1071 / 1074+1137
+1137-1138
页数：6
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