垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性

被引：13

作者：

赵一广

张宇生

黄显玲

机构：

[1] 北京大学物理系!北京超晶格和微结构国家重点实验室北京

来源：

半导体学报 | 1999年 / 11期

关键词：

垂直腔面发射半导体激光器; 注入电流; 电压分布; 有源区; 电流密度; 高阶横模; 光波导;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

本文采用求光场方程、载流子扩散方程、热导方程以及泊松方程自洽解的方法，研究了垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性．计算结果表明，出射窗口半径和限制区的深度、厚度以及半径是影响其注入电流和电压分布的主要因素．在不同的深度，电流和电压的分布是不同的．因而电流的分布不是一个固定的模式．对于较大出射窗口的垂直腔面发射半导体激光器，有源区的电流密度分布不均匀是引起高阶横模的主要原因．限制区的位置对有源区中电流的扩展有很大的影响

引用

页码：963 / 970

页数：8

共 10 条

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