硅研磨片超声波清洗技术的研究

被引：17

作者：

刘玉岭

常美茹

机构：

[1] 中国电子科技集团公司第四十六研究所

来源：

关键词：

硅片; 清洗; 污染物; 铁沾污; 金刚砂及杂质; 超声波清洗;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.05 [];

学科分类号：

摘要：

介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物。重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20∶1.00∶10.0,清洗的最佳时间为3 m in5 m in和最佳温度范围为40℃50℃。

引用

页码：215 / 217

页数：3