电磁脉冲辐照所致下丘脑神经细胞膜穿孔的原子力显微镜研究

目的 :应用原子力显微镜检查术 (atomicforcemicroscopy,AFM)对电磁脉冲辐照前后培养的下丘脑神经细胞膜进行观察 ,以探讨电磁脉冲对其细胞膜影响的直接证据。方法 :对新生的Wistar乳大鼠下丘脑神经细胞在 6孔板中进行原代培养 ,在培养 14d时 ,用高场强电磁脉冲模拟源 (场强为 6× 10 4 V m ,脉冲上升时间 2 0ns,脉宽 30 μs)以 2 .5次 min ,辐照 2min。辐照后即刻固定细胞 ,应用AFM对细胞表面进行接触式连续扫描。结果 :电磁脉冲辐照后即刻就可引起下丘脑神经细胞膜表面大小不一、深度不同、类圆形和不规则形的穿孔 ,穿孔最大直径为 2 73.2 1～330 .10nm ,深度达 13.5 7nm。结论 :电磁脉冲辐照后可直接导致下丘脑神经元细胞膜的穿孔 ,提示其可能是电磁脉冲生物效应的损伤机制之一。