Si3N4超微粒的RF－CVD合成及其介电性质

被引：6

作者：

朱以华，朱宏杰，韩今依，李春忠，胡黎明

机构：

[1] 华东理工大学技术化学物理研究所，国家超细粉末工程研究中心

来源：

硅酸盐学报 | 1996年 / 03期

关键词：

等离子体，化学气相淀积，氮化硅，超微粒，介电性质;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.1996.03.006

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

利用自制的ＲＦ－ＣＶＤ装置合成了Ｓｉ３Ｎ４超微粒。着重考察了反应气混合方式对反应机理、化学含量、粒子形态及凝聚结构的影响。得到的Ｓｉ＿３Ｎ＿４粒子的典型尺寸为１０～５０ｎｍ，并且凝聚形成分形结构，其对应不同反应温度合成的粒子的分形维数约在２．１５到１．７４之间。非晶Ｓｉ＿３Ｎ＿４超微粒经１ＧＰａ高压压制，可看成是Ｓｉ＿３Ｎ＿４粒子和界面空隙组成的多相复合材料，它的异常介电性质能够用多相材料性质的逾渗理论得到解释。

引用

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