离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

被引：23

作者：

李晓娜

聂冬

董闯

马腾才

金星

张泽

机构：

[1] 三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,中国科学院北京电子显

来源：

物理学报 | 2002年 / 01期

关键词：

β-FeSi2; 半导体薄膜; 金属硅化物; 离子注入; 透射电子显微镜;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

070307 [化学生物学];

摘要：

采用MEVVA源 (MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成 β FeSi2 薄膜 ,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下 β FeSi2 薄膜的显微结构变化 .研究结果表明 :调整注入能量和剂量 ,可以得到厚度不同的β FeSi2 表面层和埋入层 .制备过程中生成的α ,β ,γ和CsCl型FeSi2 相的相变顺序为γ FeSi2 →β FeSi2 →α FeSi2 ,CsCl FeSi2 →β FeSi2 →α FeSi2 或 β FeSi2 →α FeSi2 .当注入参数增加到 60kV ,4× 10 1 7ions cm2 ,就会导致非晶的形成 ,非晶在退火后会晶化为 β FeSi2 相 ,相变顺序就变为非晶→β FeSi2 →α FeSi2 .随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大 ,并向基体内部生长 ,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状 ,使得硅化物硅界面平整度下降 .另外 ,对于 β FeSi2 Si界面取向关系的研究表明 ,在Si基体上难以形成高质量 β FeSi2 薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成

引用

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