LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

被引：7

作者：

王国宏

马骁宇

曹青

张玉芳

王树堂

李玉璋

陈良惠

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所

[2] 光电子器件国家工程研究中心

来源：

半导体学报 | 1998年 / 09期

关键词：

发光二极管; 结型发光器件; 高亮度; LP-MOCVD; AlGaInP;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN383.105 [];

学科分类号：

摘要：

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．

引用

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