TiO2薄膜氧敏特性研究

被引：1

作者：

姚红军

汪荣昌

戎瑞芬

徐飞

金海岩

机构：

[1] 复旦大学材料科学系!上海市

来源：

传感技术学报 | 1997年 / 01期

关键词：

氧敏传惑器; TiO2; 肖特基; MOCVD; 薄膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212.2 [化学传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

金属氧化物（如ZrO2,TiO2等）随氧分压不同,有改变电导率这一性质而被广泛地用来制作氧敏传感器.传统的传感器大多是体材料或厚膜材料。工作时需加高温。本文描述的是TiO2薄膜材料与Pt薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分压不同而改变的氧敏现象,测定了该肖特基二极管的氧敏特性,并讨论了它的敏感机理。

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