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128×128GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列铟柱制备
被引：5
作者：
杨孟丽
冯震
机构：
[1] 中国电子科技集团公司第十三研究所
来源：
关键词：
量子阱红外焦平面探测器;
铟柱;
电子束蒸发;
D O I：
10.13250/j.cnki.wndz.2006.11.004
中图分类号：
TN215 [红外探测、红外探测器];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
对量子阱红外探测器研制中通常采用的铟膜制备和铟柱生长技术进行了研究。从铟源的选择及蒸发的方法、距离、真空度的控制等方面做了大量实验,优化出了最佳工艺条件。铟源的纯度99.99%,电子束蒸发厚金属膜,旋转行星夹具,蒸发距离39cm,1.33×10-Pa真空下启动蒸5发程序和关闭高阀,辅以适当的剥离方法,最终在光敏芯片和读出电路上分别制备出符合设计要求的20μm×20μm×7μm(长×宽×高)铟柱。该工艺方法适用于任何厚金属膜的制备。
引用
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页码：512 / 514
页数：3
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