靳三针联合重复经颅磁刺激对精神发育迟缓患者认知发育及脑电活动的影响

目的观察靳三针头穴留针联合重复经颅磁刺激(rTMS)对精神发育迟缓(MR)儿童认知发育的影响,为MR患者的治疗寻求一种更为有效的治疗方法。方法将75例精神发育迟缓患者按照1:1:1的比例随机分为对照A组(25例)、对照B组(25例)和观察组(25例),3组在接受常规康复训练基础上分别接受靳三针头穴留针治疗、重复经颅磁刺激、靳三针头穴留针联合重复经颅磁刺激治疗。所有对象于治疗前及治疗3个月后,进行韦氏幼儿智力量表(WISC)、事件相关电位听觉P300、脑电图检测,以观察患者治疗前后智力及脑电活动改善情况。结果治疗后3组患者WISC评分、P300的潜伏期均提高(P<0.05);P300的波幅均降低(P<0.05);对照A组及观察组双侧额区、双侧颞区脑电活动明显改善(P<0.05),对照B组双侧额区、左侧颞区脑电活动明显改善(P<0.05),其中以观察组效果最佳,优于其他两组(P<0.05)。结论在常规康复训练基础上,靳三针头穴留针联合rTMS可以有效提高MR患者智能发育水平及改善脑电活动。