应力条件下ZnO电子结构的第一性原理研究

被引：8

作者：

张富春 ^{[1
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邓周虎 ^{[1
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允江妮 ^{[1
]}

阎军峰 ^{[1
]}

张威虎 ^{[2
]}

张志勇 ^{[1
]}

机构：

[1] 西北大学信息科学与技术学院

[2] 延安大学物理与电子信息学院

来源：

功能材料 | 2006年 / 07期

关键词：

ZnO; 第一性原理; 电子结构; 调制; 应力;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

计算了外压调制下ZnO体系电子结构特性,分析了外压对ZnO电子结构的影响。所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。结果表明:随着压力的逐渐增大,Zn—O键长缩短,价带与导带分别向低能和高能方向漂移,带内各峰发生小的劈裂,带隙Eg明显展宽,Zn的3d电子与O的2p电子杂化增强。

引用

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