Si-SiC复合材料的高温氧化行为

本文研究了高纯Si-SiC复合材料（克分子比为40/60）在1600K温度下,于Ar-O2（Po:0.02～97kPa）气氛中,保温15小时反应期间的氧化行为,从而评价其抗氧化性能。使用四极质谱仪,通过测量氧化期间CO和CO2浓度,确定其氧化速率。氧化动力学在高氧分压（97kPa）下是遵循直线-抛物线规律,在低氧分压（0.02kPa）下是遵循线性规律而变化的。前一种情况重量在增加,而后一种情况重量在减少。并测定了在0.1kPa和0.02kPa之间能引起惰性氧化到活性氧化转换的氧分压。在惰性氧化中,可以认为Si表面氧化性与SiC的相比显然低,原因是试样表层上Si能与SiC中析出的C反应转化为SiC。在探讨了Si和SiC之间相互作用的同时,一并考虑到了Si-SiC复合材料的抗氧化性。