不同源阻抗8/20μs冲击电流下的MOV动态性能仿真

被引：16

作者：

姚学玲 ^{[1
]}

杜志航 ^{[1
]}

陈景亮 ^{[1
]}

孙涌 ^{[2
]}

李祥超 ^{[3
]}

机构：

[1] 西安交通大学电气工程学院

[2] 北京雷电防护装置测试中心

[3] 不详

来源：

高电压技术 | 2010年 / 36卷 / 09期

关键词：

8/20μs冲击电流发生器; 源阻抗; 冲击残压; MOV动态阻抗; 软件仿真;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2010.09.006

中图分类号：

TM54 [电阻器、电位器];

学科分类号：

摘要：

为研究不同源阻抗的8/20μs冲击电流下,金属氧化物压敏电阻(metal oxygen varistor,MOV)冲击残压存在很大差异的课题,建立了MOV的仿真模型,在相同预期短路条件下对10、20、30kA3个通流量级的冲击残压进行了研究,并结合Haefely persurge30.2和ICGS两种源阻抗相差较大设备的实测数据分析,得出:①冲击电流越小,试品动态阻抗越大,适合用其最小冲击电流来测试非线性试品,以工程计算设备的带负载能力;②不同预期短路电流下,不同源阻抗冲击电流回路测试不同试品时,通流容量越小的试品表现出来的电压敏感性越大,大通流的试品在大电流冲击下受源阻抗的影响较小,因此宜选用小通流容量的MOV来对比不同发生器的性能。

引用

页码：2120 / 2125

页数：6

共 5 条

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王任
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[2] 非线性被试品冲击电流发生回路的研究
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陈景亮
孙伟
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