GaAs半导体激光照射足三里穴对人体痛阈的影响

目的　探讨GaAs 半导体激光穴位照射对人体的镇痛效应。方法　健康受试者30 名分为3 组,每组10 名。(1) 组采用GaAs 半导体激光照射双侧足三里穴(GaAs 组) ,光斑直径0-2 cm ,脉冲频率95 Hz,平均功率密度159 m W/cm2 ,每侧穴位照射15 min 。(2) 组以激光和低频电脉冲(LFEP) 交替作用于双侧足三里穴(GaAs + LFEP 组) ,每侧穴位激光和LFEP各作用15 min ,激光参数同GaAs 组,LFEP 取可调锯齿状波,频率10 Hz,刺激强度以受试者能耐受为限。(3) 组为对照组,仅将激光照射头放置于双侧足三里穴上15 min ,但无激光输出。于照射足三里穴前及照射后15 、30 min ,采用钾离子透入测痛法,分别测量受试者腹部和耳垂痛阈,观察照射前后痛阈变化,并进行组间比较。结果　GaAS组穴位照射后15 和30 min ,腹部痛阈分别比照射前提高35-6 % ( P< 0-05) 和39-7 % ( P< 0-01) ,耳垂痛阈分别比照射前提高26-7 % ( P< 0-05) 和24-4 % ( P> 0-05) ;GaAs + LFEP 组刺激穴位后15 和30 min ,腹部痛阈分别提高42-3 % ( P<0-05) 和44-9 % ( P< 0-05) ,耳垂痛阈均提高44-6 % ( P< 0-05) 。GaAs 组和GaAs+ LFEP 组照射或刺激穴位后不同时间的痛阈变化分别与对照组比较,腹部痛阈增高幅度差异均有显著意义( P< 0-05) ;耳垂痛阈增高幅度GaAs 组差