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晶体位错理论基础[M] 杨顺华;丁棣华著; 科学出版社 1998,
用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度
被引：10
作者：
沈晓明
付羿
冯淦
张宝顺
冯志宏
杨辉
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
[2] 中国科学院半导体研究
来源：
关键词：
立方相GaN;
MOVPE;
侧向外延;
SEM;
TEM;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.23 [];
学科分类号：
摘要：
尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后 ,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的 5× 10 9cm-2 降低至生长后的 6× 10 8cm-2 .双晶X射线衍射 (DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描 (0 0 2 )衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为 33′和 17 8′ ,表明晶体质量有了较大改善 .对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论 .
引用
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页码：1093 / 1097
页数：5
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