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半导体光电化学.[M].(苏)古列维奇(Гуревнч;Ю.Я.);(苏)波利斯科夫(Плесков;Ю.В.)著;彭瑞伍译;.科学出版社.1989,
单晶硅上电沉积Ni-P非晶薄膜及其表征
被引：1
作者：
张国庆
姚素薇
郭鹤桐
何菲
龚正烈
机构：
[1] 天津大学
[2] 天津理工学院
来源：
关键词：
硅，Ni－P合金，电沉积，非晶;
D O I：
暂无
中图分类号：
TQ153.2 [合金的电镀];
学科分类号：
摘要：
采用控制电位沉积法在ｐ－Ｓｉ晶面上制备了Ｎｉ－Ｐ非晶薄膜．并对其结构、组成用ＸＲＤ，ＤＳＣ，ＸＰＳ进行了表征．结果表明，Ｎｉ－Ｐ合金在沉积前存在一个诱导期，合金由活性不同的两种组份构成，改变阴极电位对合金组成、结构影响不大，所制备的薄膜含磷量约为１６．２８％，具有非晶态结构
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