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固体电子学中的等离子体技术.[M].钱振型主编;.电子工业出版社.1987,
新型大面阵碲镉汞探测器In柱生长工艺研究
被引：3
作者：
张鹏
李震
赵凯
机构：
[1] 华北光电技术研究所
来源：
关键词：
铟柱;
溅射;
热蒸发;
碲镉汞;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN215 [红外探测、红外探测器];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
介绍了新一代大面阵碲镉汞器件互连工艺中在碲镉汞器件芯片上的In柱生长技术,分析并试验了各种工艺手段的不同效果,最终选择了较为优化的In柱生长工艺条件。
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页码：781 / 783
页数：3
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