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IEGT——适用于STATCOM的新型大功率开关器件
被引:7
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
刘文华
刘炳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
清华大学!北京
刘炳
机构
:
[1]
清华大学!北京
来源
:
电力电子技术
|
2001年
/ 04期
关键词
:
逆变器;
可关断晶闸管/电子注入增强门极晶体管;
绝缘栅双极晶体管;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN335 [PNPN四层结构器件];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
IEGT(InjectionEnhancedGateTransistor) ,即电子注入增强门极晶体管 ,是东芝公司于 1993年开发出的新一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。可以确信 ,它将会替代IGBT和GTO ,并广泛应用于大功率电力电子设备 ,特别是FACTS设备。就其基本结构、工作原理和应用范围作了简要的介绍。
引用
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页码:45 / 47+50 +50
页数:4
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共 1 条
[1]
现代电力电子技术基础[M]. 清华大学出版社 , 赵良炳 编著, 1995
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