64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征

被引:28
作者
陈伯良
陆蔚
王正官
杨华
汪辉
机构
[1] 中国科学院上海技术物理研究所!上海,,上海大学物理系!上海,,中国科学院上海技术物理研究所!上海,,中国科学院上海技术物理研究所!上海,,上海大学物理系!上海,
关键词
红外焦平面列阵; InSb; 微探针; 性能表征;
D O I
暂无
中图分类号
TN215 [红外探测、红外探测器];
学科分类号
080508 [光电信息材料与器件];
摘要
用改进的恒压微探针方法 ,对 6 4× 6 4元 In Sb凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价 .测得典型 6 4× 6 4元 In Sb芯片的探测器平均零偏阻抗为 42 MΩ (90 K) ,非均匀性为 2 0 % ;平均 10 0 0 K黑体响应率为 2 .8A/W,非均匀性为 6 .3% ;电学串音率 <2 % .讨论了性能异常芯片上存在的局部电学串音现象
引用
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