(AB)8（AB=BN,AlP,GaAs,InSb）团簇环状结构与性质的密度泛函理论研究

被引：4

作者：

张材荣 ^{[1
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陈宏善 ^{[2
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陈玉红 ^{[1
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冯旺军 ^{[1
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许广济 ^{[3
]}

机构：

[1] 兰州理工大学理学院

[2] 西北师范大学物理与电子工程学院

[3] 兰州理工大学有色金属新材料国家重点实验室

来源：

无机化学学报 | 2006年 / 06期

关键词：

团簇; 结构与性质; 密度泛函理论;

D O I：

暂无

中图分类号：

O641.1 [化学键理论];

学科分类号：

070305 [高分子化学与物理];

摘要：

用杂化密度泛函B3LYP方法研究了(AB)8(AB=BN,AlP,GaAs,InSb)团簇环形结构的平衡几何构型、电子结构、振动特性以及极化率。计算结果表明,(AB)8团簇的双层环状结构中,每个A(B)原子都与3个B(A)原子成键,且Ⅴ族元素的原子比Ⅲ族元素的原子更接近团簇中心,(BN)8、(AlP)8、(GaAs)8、(InSb)8的平均极化率依次增大,IR和Raman谱峰发生红移。另外,讨论了热力学稳定性和动力学稳定性的变化。

引用

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