HVDC直流偏磁电力变压器铜屏蔽中涡流损耗分析与仿真

被引：23

作者：

赵志刚 ^{[1
]}

刘福贵 ^{[1
]}

程志光 ^{[2
]}

颜威利 ^{[1
]}

刘兰荣 ^{[2
]}

张俊杰 ^{[2
]}

机构：

[1] 河北工业大学河北省电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室

[2] 保定天威集团电工理论与新技术研究所

来源：

高电压技术 | 2011年 / 37卷 / 04期

关键词：

电力变压器; 铜屏蔽; Problem21基准族; 直流偏磁; 涡流损耗; 有限元仿真;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2011.04.035

中图分类号：

TM41 [电力变压器];

学科分类号：

摘要：

为了研究高压直流输电系统中直流偏磁电力变压器铜屏蔽中涡流损耗分布,基于Problem 21基准族中的P21c-EM1简化模型进行了详细实验研究和仿真分析。重点考察不同激励方式下变压器结构件(如:变压器油箱等)铜屏蔽中涡流损耗的分布,研究交流激励源和直流激励源之间的交叉作用对铜屏蔽损耗特性的影响。通过模型实验分别获得了电力变压器铜屏蔽在不同直流偏置磁场强度作用时和标准的正弦激励作用时的损耗分布情况并进行了对比分析。提出采用三维瞬态场计算电力变压器直流偏置涡流场的实用措施,不同偏磁工况下,模型涡流损耗的计算结果和测量结果具有较好一致性,所得结果和结论有助于通过优化设计来提高电力变压器的性能指标。

引用

页码：990 / 995

页数：6

共 14 条

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