GaAs/AlAs异质结构隧道电流的计算和异质结限累管初探

被引:4
作者
薛舫时
机构
[1] 南京电子器件研究所
关键词
隧道电流; 量子阱; 电场; 电磁场; GaAs/AlAs; 异质结构; 初探;
D O I
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摘要
本文从单带双谷模型出发计算了GaAs/AlAs异质结量子阱中的隧道电流同外加电压之间的关系。研究了隧道电流同量子阱结构和电场间的关系以及隧道过程中的状态转换效应。在此基础上提出了利用异质结中的状态转换特性来制作X谷电子发生器的可能性。讨论了这种发生器在器件设计中的应用以及异质结限累管的初步设计。
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共 2 条
[1]   GaAs/AlGaAs量子阱中的Г-X混和及谐振态和非限定态的研究 [J].
薛舫时 .
半导体学报, 1989, (11) :805-811
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薛舫时 .
物理学报, 1989, (07) :1103-1110