808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制

被引：4

作者：

朱东海

梁基本

徐波

朱战萍

张隽

龚谦

李胜英

王占国

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所!半导体材料科学实验室

[2] 北京

来源：

关键词：

激光器; 输出功率; 光激射器; 电子器件; 激射波长; GaAs/AlGaAs; nm;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2．3W．

引用

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