由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器

被引：11

作者：

康学军，林世鸣，高俊华，高洪海，王启明，王红杰，王立轩，张春晖

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所

来源：

关键词：

垂直腔面发射激光器; 电流限制; GaAs; AlGaAs; 阈值电流; 有源区; 选择氧化; 激射;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并制成了２×３列阵器件。

引用

页码：873 / 876+882

页数：5