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用二分打靶法计算一级碳化硅防晕层的分布电压
被引：7
作者：
李景富
刘上椿
机构：
[1] 哈尔滨大电机研究所
来源：
关键词：
防晕层;
物理;
数学模型;
试验模型;
碳化硅;
打靶法;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
本文叙述了一级碳化硅防晕层表面电压分布的物理数学模型,论述了用二分打靶法在电子计算机上求解分布电压的过程。
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