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实际应用条件下Power MOSFET开关特性研究(上)
被引:27
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
张元敏
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
方波
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
蔡子亮
机构
:
[1]
许昌学院电信学院
来源
:
现代电子技术
|
2007年
/ 21期
关键词
:
Power MOSFET;
开关特性;
开通;
关断;
密勒效应;
D O I
:
10.16652/j.issn.1004-373x.2007.21.066
中图分类号
:
TM564 [各种开关];
TN386.1 [金属-氧化物-半导体(MOS)器件];
学科分类号
:
080508
[光电信息材料与器件]
;
080802
[电力系统及其自动化]
;
摘要
:
针对实际应用中Power MOSFET开关工作状况与现有文献的描述有很大不同,使用不当易造成器件的损坏和设备的崩溃这一现象,在应用条件下对Power MOSFET开关特性进行了研究,深入分析了Power MOSFET的开关过程,提出了关于开关过程四阶段的新观点,并采用对开关过程的等效输入电容进行分段线性化的新方法对不同阶段的开关参数进行了计算,搭建了开关特性实验电路,实验结果表明,提出的Power MOSFET开关过程四阶段的新观点是正确的,等效输入电容分段线性化的新方法是合理的。
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页码:175 / 178
页数:4
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共 3 条
[1]
电力电子设备设计和应用手册.[M].王兆安;张明勋主编;.机械工业出版社.2002,
[2]
功率MOSFET的应用.[M].卢豫曾[著];.东南大学出版社.1995,
[3]
VDMOS功率器件开关特性研究
[J].
邵建新
论文数:
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0
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机构:
中国华晶电子集团公司中央研究所
邵建新
;
王立模
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机构:
中国华晶电子集团公司中央研究所
王立模
.
微电子学,
1994,
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;
王立模
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王立模
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