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干涉型光电阴极的分析
被引:1
作者
:
李朝木
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李朝木
机构
:
来源
:
光学技术
|
1985年
/ 03期
关键词
:
半透明光电阴极;
波长;
入射光;
量子产额;
量子产量;
相位移;
光学厚度;
透明阴极;
干涉型;
D O I
:
10.13741/j.cnki.11-1879/o4.1985.03.008
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
<正> 一、引言量子产额的参数是通过测量常规的光电阴极的效率。例如S-1光阴极,波长大于1μm时量子产额小于0.1%,通过光检测过程的分析可能是光电子在吸收层产生的能力达到最佳。如果用成象特性和高量子产额来表征光探测器的性能,那么可以应用干涉型的光电阴极。本文分析了反射-半透明光电阴极的几何的和光学的结构,以及固态参数对窄带光检测的影响。通过实验证明,光学干涉对光阴极层的吸收和灵敏度是有关的。本文假设电介质的光电发射体在弱的入射光下具有一个高的电阻率,上面这种情况适合于重掺氧S-1光阴极和
引用
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页码:18 / 21
页数:4
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