SiO/Si波导应力双折射数值分析

被引：2

作者：

安俊明

班士良

梁希侠

李健

郜定山

夏君磊

李健光

王红杰

胡雄伟

机构：

[1] 内蒙古大学物理系

[2] 中国科学院半导体研究所

[3] 光电子研究发展中心

[4] 光电子研究发展中心呼和浩特中国科学院半导体研究所

[5] 北京

[6] 呼和浩特

来源：

半导体学报 | 2005年 / 07期

关键词：

SiO2/Si; 波导; 应力; 双折射; 数值分析;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN252 [光波导];

学科分类号：

0702 ; 070207 ;

摘要：

采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数.

引用

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