换流阀内雷电冲击电压的分布及影响因素

被引：20

作者：

赵中原

邱毓昌

方志

于永明

王建生

马振军

机构：

[1] 西安交通大学电气工程学院

[2] 西安高压电器研究所

[3] 西安电力整流器厂

来源：

高电压技术 | 2002年 / 03期

关键词：

可控硅换流阀; 雷电冲击; 分布参数; 暂态特性;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2002.03.001

中图分类号：

TM862 [过电压保护装置];

学科分类号：

摘要：

在探讨可控硅换流阀内暂态过电压分布特点的基础上建立了阀体的嵌套等值电路模型。通过对±500 kV三峡-常州直流输电系统的可控硅换流阀的计算,分析了阀参数及分布参数对冲击电压分布的影响,并提出了改善电压分布的措施。

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共 3 条

[1] Numerical investigation of the effect of valve reactor design on thyristor stress in a HVDC thyristor valve. Tadokoro M. Transmission and Distribution Conference . 1996
[2] Impulse testing of HVDC thyristor valves: its bases and techniques. Xiaorong Li,Zhida Zhao. 6th ISH . 1989
[3] Technology trends for HVDC thyristor valves. Lips H P. Poercon’98 . 1998