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功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点
被引：5
作者：
金千男
杜国同
机构：
[1] 吉林大学电子科学与工程学院
来源：
关键词：
功率器件;
功率MOSFET;
绝缘栅双极晶体管;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN323.4 [];
学科分类号：
摘要：
综合评述了VDMOSFET(VerticalDoubleDiffusedMOSFET)与IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trenchgate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点。新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点。在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构。
引用
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页码：549 / 552
页数：4
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