源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究

被引:2
作者
纪世阳
李牧菊
杨柏梁
机构
[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所!吉林长春
[2] 北方液晶工程研究开发中心!吉林长春
关键词
轻掺杂; 多晶硅薄膜晶体管; 同型结; 热电子; 漏电流;
D O I
暂无
中图分类号
TN321.5 [];
学科分类号
摘要
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。
引用
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共 1 条
[1]  
电子薄膜材料.[M].曲喜新等编著;.科学出版社.1996,