利用微放电现象预测真空触头材料的耐电压性能

被引：2

作者：

程礼椿

机构：

[1] 华中理工大学武汉

来源：

关键词：

微放电; 间隙击穿; 触头材料; 真空灭弧室; 起始电压; 场发射电流密度;

D O I：

10.13296/j.1001-1609.hva.1996.05.009

中图分类号：

TM503.5 [];

学科分类号：

摘要：

介绍利用微放电现象预测真空触头材料的耐电压性能的技术。在阐明真空间隙击穿和微放电机理的基础上,引用国外最近的研究结果对预测的可能性给于证明,最后对它的应用问题作了讨论。

引用

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