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高压浮动MOSFET栅极驱动技术
被引:15
作者
:
李正中
论文数:
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引用数:
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0
机构:
深圳职业技术学院电子通信系
李正中
孙德刚
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机构:
深圳职业技术学院电子通信系
孙德刚
机构
:
[1]
深圳职业技术学院电子通信系
[2]
深圳职业技术学院电子通信系 广东深圳
[3]
广东深圳
来源
:
通信电源技术
|
2003年
/ 03期
关键词
:
高压浮动;
MOS栅极驱动;
自举工作;
充电泵;
D O I
:
10.19399/j.cnki.tpt.2003.03.012
中图分类号
:
TN386.1 [金属-氧化物-半导体(MOS)器件];
学科分类号
:
摘要
:
本文介绍了高压浮动MOSFET的应用场合、栅极驱动的的几种常用技术及其优缺点,详细论述了采用IR2125芯片的自举工作模式及充电泵模式的高压浮动MOSFET栅极驱动电路。同时论述了高压浮动MOSFET在汽车制动器中的应用。
引用
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页码:37 / 40
页数:4
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[1]
现代电力电子技术基础.[M].张立主编;.高等教育出版社.1999,
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