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半导体材料产业的发展现状
被引：2
作者：
徐远林
机构：
[1] 峨嵋半导体材料厂
来源：
关键词：
半导体材料;
GaN;
电工材料;
产业;
单晶;
晶形;
化合物半导体;
硅衬底;
GaAs;
晶片;
半绝缘;
磷化;
磷酸盐处理;
亚洲;
地区;
多晶硅;
D O I：
暂无
中图分类号：
F416.63 [电子工业];
学科分类号：
摘要：
<正> 3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸气压控制直拉法),成功制备出4～6英寸大直径GaAs单晶。
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