单相全桥SPWM逆变器的仿真研究

被引：15

作者：

伍家驹 ^{[1
]}

林金城 ^{[1
]}

王文婷 ^{[1
]}

杉本英彦 ^{[2
]}

机构：

[1] 南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室

[2] 福井大学

来源：

系统仿真学报 | 2008年 / 21期

关键词：

逆变器; 死区; 控制; MATLAB; 仿真;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM464 [逆变器];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

建立了单相全桥电压型SPWM(Sinusoidal Pulse-width modulation,正弦脉宽调制)逆变器的数学模型,分析了设置死区时系统中IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)的通断状态,用MATLAB/Simulink中的基础模块模拟逆变器的工作状态、死区效应、死区补偿和控制系统,用数学分析和实验波形对仿真结果进行了验证。该方法可用于揭示逆变器的死区效应、补偿效果和控制系统的静、动态响应。

引用

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页码：6002 / 6005

页数：4

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