锰掺杂对四元系压电陶瓷压电性能的影响

被引：7

作者：

杜景红

孙加林

史庆南

严继康

机构：

[1] 昆明理工大学材料与冶金工程学院

[2] 昆明理工大学材料与冶金工程学院云南昆明

[3] 云南昆明

来源：

昆明理工大学学报(理工版) | 2002年 / 06期

关键词：

压电马达; 压电陶瓷; 压电性能; 居里温度;

D O I：

10.16112/j.cnki.53-1223/n.2002.06.009

中图分类号：

TM282 [压电陶瓷材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷 (PZN -PMS -PZT -γMnO2 ) .考察了不同剂量锰掺杂对压电陶瓷的压电性能的影响 ,包括 :居里温度 (Tc)、机电耦合系数 (kp)、压电常数 (d33)和机械品质因素 (Qm) .由于内偏置场的影响 ,居里温度Tc随锰含量的增加而增加 .kp 和d33随Mn含量的增加而减小 ;而Qm 表现出较复杂的变化规律 ,随Mn含量的增加Qm先增加 ,当质量分数γ =0 .2 %时 ,达到最大值 1 0 0 0 ,当γ >0 .2 %时 ,Qm 下降 .实验结果表明 :当质量分数γ =0 .2t%的锰掺杂压电陶瓷具有较好的压电性能 :Tc =349℃、kp=0 .60、d33=380( 1 0 - 1 2 C/N和Qm=1 0 0 0 .

引用

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共 7 条

[1] PLMN、PLN、PMN体系压电陶瓷性能与结构的对比研究 [J].